一、 基于吡啶二甲醛的蛋白质偶联物的制备方法

申请号：CN201811113353.7

专利类型：授权发明

发明人：高卫平 | 孙佳维 | 赵文国 | 刘欣宇

摘要：本发明提出了一种修饰蛋白质N末端的方法。该方法包括：将待修饰蛋白质与式(I)所示化合物进行接触，以便获得经过N末端修饰的所述蛋白质，其中，所述蛋白质N末端的第二个氨基酸不为脯氨酸。该方法反应条件温和、效率高，能特异性修饰蛋白质N末端，利于精准蛋白质偶联物的构建，所得到的产物一定程度稳定。

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二、 一种可变延时预测方法及基于预测的可变延时加法器

申请号：CN201310446397.2

专利类型：授权发明

发明人：杨兴华 | 乔飞 | 杨华中

摘要：本发明公开了一种可变延时预测方法，其包括以下步骤：S101、输入待执行加法运算的操作数中的第i至第i＋n位以及转移态，其中，转移态为操作数中第i－1位对应的加法器输出的进位信号的当前态与进位信号的保留态比较的结果；S102、根据对第i至第i＋n位进行的逻辑运算判断当前操作数是否存在长关键路径被激发的情况；S103、基于转移态和部分当前操作数产生的使能信号来决定是否给待执行加法运算分配额外的时钟，同时产生进位选择信号来确定传播给当前操作数中的第i位对应的加法器的进位值。采用本预测方法的改进的加法器电路结构能够保证加法器正确无误运行的同时，进一步降低电路供电电压或者提高电路的运行频率。

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三、 梯度体纹理合成方法

申请号： CN201110289079.0

专利类型：授权发明

发明人：胡事民 | 张国鑫

摘要：本发明公开了一种梯度体纹理合成方法，涉及纹理合成技术领域，该方法包括：S1：建立三维空间均匀网格结构，根据事先输入的2D纹理图为网格的顶点设置颜色和颜色梯度；S2：在网格的每个格子中选择至少一个采样点，在每个采样点处选择至少两个采样平面，采样平面上任一点的颜色由采样点所在格子的顶点的颜色和颜色梯度通过三次插值得出；S3：在2D纹理图中找到与采样平面最相近的纹理块，并将纹理块的像素点拷贝到相应的格子中；S4：根据网格的各个格子中的像素点更新网格顶点的颜色和颜色梯度；S5：重复S2～S4的过程若干次，以合成梯度体纹理。采用本发明的方法合成体纹理，能够快速地合成梯度体纹理，且减小了体纹理的数据量和存储开销。

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四、 全局光照下全动态毛发的绘制方法

申请号： CN201110288501.0

专利类型：授权发明

发明人：徐昆 | 马里千 | 任博 | 胡事民

摘要：本发明公开了一种全局光照下全动态毛发的绘制方法，包括以下步骤：S1：输入待绘制毛发的几何模型和全局光照信息；S2：建立基于物理的简化毛发散射模型，使用多项式和圆高斯函数的线性组合对所述简化毛发散射模型中的方位散射函数进行近似；S3：建立全局光照的球面径向基函数模型，使用两个圆高斯函数之积对球面径向基函数进行近似，用来计算全局光源和毛发散射函数的解析积分；S4：输出毛发在指定全局光照下的绘制结果。本发明的方法可以在全局光照下对全动态毛发进行实时的绘制，计算速度快，不需要任何预处理，支持光源、毛发材质、毛发几何的全动态变化。

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五、 一种基于多距离声传感器的音频索引方法

申请号： CN201110303580.8

专利类型：授权发明

发明人：杨毅 | 陈国顺 | 王胜开

摘要：本发明为一种基于多距离声传感器的音频索引方法，使用多距离声传感器作为音频记录装置用于记录多媒体会议中的音频信息，并基于多距离声传感器提取一种空间多时延特征作为区分不同说话人的特征，用一种新的流型算法对多时延特征进行降维处理并按说话人身份进行分类，这种方法可降低系统的复杂度和计算代价，最后各个说话人的音频片段及其身份作为音频索引信息被系统输出，由该方法得到的最优判别向量集理论上可以达到最优鉴别，可应用于复杂声学环境下的多人多方对话场景。

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六、 从填埋气中提纯回收甲烷和二氧化碳的装置

申请号： CN200910093603.X

专利类型：授权发明

发明人：王伟 | 邓舟 | 夏洲 | 胡益铭 | 田玲

摘要：本发明公开了一种从填埋气中提纯回收甲烷和二氧化碳的装置，该装置是将预处理后的填埋气经过一级变压吸附分离出甲烷和二氧化碳；包括预处理单元、一级变压吸附单元、多级变压吸附单元和二氧化碳提纯单元。本发明将垃圾填埋气分离提纯成CH4和CO2两种高纯度的产品气，充分利用了能源，可以防止填埋气直接排入大气导致的环境污染和温室效应；其工艺自动化程度高、具有结构紧凑、脱硫、脱水、提纯效果的特点。而且，该发明的装置中所设计的废气回流，实现了系统“零排放”。

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七、 视网膜OCT体数据识别方法及装置

申请号：CN201811249854.8

专利类型：授权发明

发明人：孙延奎 | 邱嘉铭

摘要：本发明实施例提供一种视网膜OCT体数据识别方法及装置，其中方法包括：获取待识别图像，对待识别图像进行处理，获得目标待识别图像，目标待识别图像为视网膜OCT体数据的多个二维切片图像；根据目标卷积神经网络对目标待识别图像进行识别，获得目标待识别图像的识别结果；根据待识别图像的每个目标待识别图像的识别结果，给出待识别图像的识别结果。本发明实施例利用自监督迭代学习的方法，先利用初始标签和训练样本训练卷积神经网络，再对训练样本图像进行重新分类，并结合聚类或阈值过滤等方法对训练样本图像进行重标签；反复迭代训练与重标签的流程，得到目标卷积神经网络，从而能够在仅有三维级别标签的图像的条件下，提高识别准确率。

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八、 超薄氧化层的激光处理生长方法及装置

申请号：CN201210426177.9

专利类型：授权发明

发明人：严利人 | 刘志弘 | 张伟 | 周卫 | 韩冰

摘要：本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为：将硅片放置在氧化性气氛中；或，对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素；亦或，在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理，使用方便，可生成质量好的薄氧化层，适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。

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九、 金属板实际复杂缺陷磁声阵列导波散射成像方法

申请号：CN201610952378.0

专利类型：授权发明

发明人：黄松岭 | 赵伟 | 张宇 | 王珅

摘要：本发明提出一种金属板实际复杂缺陷磁声阵列导波散射成像方法，包括：采用可控发射方向EMAT作为激励换能器，采用全向EMAT作为接收换能器；每个可控发射方向EMAT都按预设的发射角度范围和角度步长激发导波，全向接收EMAT在每次有导波激发时都接收导波信号；利用导波信号走时筛选出构成散射组的发射EMAT和接收EMAT；根据散射组间距、发射角度和导波信号走时求解散射点位置和散射边方向；将得到的所有散射点按照各自的散射边方向进行曲线拟合，形成实际复杂缺陷的清晰轮廓图像。本发明能够对金属板的实际复杂缺陷进行高精度成像，对散射点位置和散射边方向的求解准确、运算速度快，对实际复杂缺陷的成像效率高。

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十、 一种制备干扰素高分子结合体IFN-POEGMA的方法

申请号：CN201510742013.0

专利类型：授权发明

发明人：高卫平 | 胡瑾 | 王贵林

摘要：本发明公开了干扰素‑POEGMA结合体及其应用，所述高分子通过连接到所述蛋白质的引发剂而结合到所述蛋白质上。所述引发剂可连接到所述蛋白质的N‑或C‑端以及其它远离蛋白质活性位点和/或不影响蛋白质活性的任何位置。实验证明，以本发明所制备的IFN‑POEGMA结合体，产率高，纯化简单，位点特异性修饰，能够较好地保留了体外生物活性，提高了干扰素热稳定性，极大地改善了药物代谢动力学和生物分布，并且有效增强治疗功效。

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十一、 饱水海绵吸能减振装置

申请号：CN201310561636.9

专利类型：授权发明

发明人：刘天云 | 金峰 | 李庆斌 | 周孟夏 | 桂耀

摘要：一种饱水海绵吸能减振装置，包括水箱、置于水箱中将水箱分为若干格挡的若干隔板，隔板的底部设置有通孔，以及填充于所述格挡中的海绵，本发明中的海绵由于其结构上的特殊性，即多孔性，与传统的调频液体阻尼器相比，饱水海绵吸能减振装置中的水体在波动过程中，在海绵的孔隙内穿梭，磨擦阻力更大，减振效率更高；同时，由于海绵的吸水作用，减振水箱中的水体不会因为波动而溅洒，水箱中可以将水加满，能更有效的利用水箱空间。

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十二、 连体IGBT器件及其加工方法

申请号：CN201210452249.7

专利类型：授权发明

发明人：严利人 | 刘道广 | 刘志弘 | 张伟 | 周卫 | 崔杰

摘要：本发明公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低，简单易行，利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。

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十三、 内存分配方法

申请号：CN201010550117.9

专利类型：授权发明

发明人：胡事民 | 阎栋

摘要：本发明公开了一种内存分配方法。所述方法包括步骤S1：对所要管理的内存建立并初始化线段树结构；S2：内核或应用程序申请内存；S3：线段树回收内核或应用释放的内存。采用线段树的方式进行物理内存管理，能够保证所提供的内存地址是物理连续的，且可高效地申请特定物理地址的内存进行分配而不会影响整体的性能，克服了普通内存管理方法的易于产生内存碎片，效率不高，无法保证物理地址连续等缺点。

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十四、 基于延迟反馈的双足机器人行走非单周期步态控制方法

申请号：CN201510810189.5

专利类型：授权发明

发明人：赵明国 | 闫石 | 邓卡

摘要：本发明属于机器人行走控制领域，具体涉及一种基于延迟反馈的双足机器人行走非单周期步态控制方法。其特征在于，在机器人行走的控制参数中确定一个摄动参数p；确定庞加莱截面及目标不动点和其对应的标称参数；建立单周期不动点处的线性化模型；确定延迟反馈控制器的反馈增益Kf、反馈增益Kp；确定最大摄动量的限制值；设定机器人的初始状态及控制参数，求得前步的摄动参数值pi，若摄动参数pi未超出最大摄动量的限制，执行摄动参数；若pi超出限制，则执行标称参数p*；当摆动腿落地后，当前步结束，进行下一步的控制。本发明仅采用一组恒定的状态反馈增益就能通过参数摄动使步态逐步收敛，快速稳定到期望不动点，实现单周期步态，扩大了机器人可行走的参数范围。

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十五、 硅片上外延化合物半导体材料的单晶过渡层制备方法

申请号：CN200910238450.3

专利类型：授权发明

发明人：周卫 | 严利人

摘要：用于硅片上外延化合物半导体材料单晶过渡层的制备方法。该方法是在硅片上先外延一层压缩应变的Si1-xGex(0＜x≤1)层，通过湿法的化学或电化学腐蚀将其制作成多孔结构的薄膜，在适当的氢气氛下退火，使得多孔结构层完全弛豫，并使表面的微孔闭合成为完全弛豫的Si1-xGex(0＜x≤1)准单晶层，在准单晶层上外延Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜，得到单晶过渡层。该单晶过渡层的晶格常数由薄膜中Ge的组分决定，除了适于外延生长结构与晶格常数相近的化合物半导体材料外，也适于外延生长应变Si，应变Si1-xGex，应变Ge或弛豫的Si1-xGex，弛豫的Ge薄膜。

摘要附图：

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